長江存儲CEO楊士寧:長江存儲3年走過國際廠商6年的路!
2020-11-19 21:32:29  出處:半導體行業觀察   編輯:憲瑞     評論(0)點擊可以複製本篇文章的標題和鏈接

在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學術會議”上,長江存儲科技有限責任公司CEO楊士寧發表了《新形勢下中國芯片製造突圍的新路徑》的主題演講,主要就在三維集成上如何找到突圍之路,他指出,集成電路由二維向三維發展是必行趨勢。這可能不是一條唯一的路徑,但確是一條需要強烈探索的路徑。

長江存儲CEO楊士寧:長江存儲3年走過國際廠商6年的路!

平地一聲雷,今年4月份長江存儲宣佈推出128層堆棧的3D NAND閃存,國外同行發現,長江存儲跳級了,因為3D NAND是從32層、64層、96層逐漸移到128層,但是長江存儲並未推出過96層堆棧,這是怎麼一回事呢?

這就要追溯下長江存儲的歷史淵源,長江存儲前身是武漢新芯,2016年7月,紫光聯合大基金共同出資,在武漢新芯的基礎上,創立長江存儲,並與中科院微電子所在3D NAND上展開合作研究。

2017年年底,長江存儲正式推出了國產首個真正意義上的32層 3D NAND閃存。

然而國際閃存市場競爭激烈,此時長江存儲已開始探索一條適合自己的3D NAND技術,這是一條充滿未知的道路,長江存儲堅持創新發展,走差異化路線,於2018年8月正式推出自家的獨門絕技Xtacking架構。

首款採用Xtacking架構,密度與業界96層看齊,具有一定成本優勢的64層堆棧式閃存則是長江存儲真正意義上面向市場推出的“處女作”,自2019年第三季度起實現規模量產。

傳統3D NAND架構中,外圍電路約佔芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲密度。隨着3D NAND技術堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術將外圍電路置於存儲單元之上,從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。  

採用Xtacking,可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後,創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯通道)將兩片晶圓鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

長江存儲始終與國際水平差一代的距離,如果還跟着別人後面跑,任何市場上實現不了商業化就只有死路一條,所以長江存儲做出了一個近乎瘋狂的舉措:決定直接跳過96層堆棧閃存的研發,直接向128層的堆棧上探索。

2020年4月,長江存儲搶先推出了128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070。目前長江存儲的技術已經處於全球一流的水準,下一步就是解決產能的問題。

楊士寧介紹,Xtacking主要具有四方面優勢:一是速度快,具有更好的性能表現;二是工藝更結實;三是成本可控,因為密度高;四是具有更高的靈活性。

與國際存儲大廠相比,長江存儲表示,公司用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。長江存儲3年完成了他們6年走過的路,楊士寧直言,長江存儲不做最後一名,爭取公司的下一代產品能夠達到行業前沿。

楊士寧在會上提到,買優質的國產存儲產品,要認準“Xtacking?”商標,有這個商標才有真正的國產閃存芯片。

另外,據楊士寧介紹,今年8月,Xtacking還成立了生態聯盟,目前已有20多家廠商和100多款產品加入了這個生態圈。

最後,楊士寧總結到,長江存儲將繼續以創新技術為底藴,在創新這條道路上堅持走下去,有Xtacking平台的依託,公司在國際和國內方面的合作會更開放。

“長江存儲的研發走的太快了,領導要我走慢一點”楊世寧在會上笑談到。最後,他談到,長江存儲近三年每年的產值要增加10倍,目前在這個趨勢上突飛猛進。

長江存儲CEO楊士寧:長江存儲3年走過國際廠商6年的路!

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#閃存#TLC閃存

原文鏈接:半導體行業觀察 責任編輯:憲瑞

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